Động cơ BLDC Công suất bóng bán dẫn hiệu ứng trường Mosfet IPB017N10N5 Infineon
Nhóm:
Transitor hiệu ứng trường
Giá bán:
có thể đàm phán
Phương thức thanh toán:
T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Thông số kỹ thuật
Dòng sản phẩm:
STB24N60DM2
gói nhà cung cấp:
TO-263-7
Mô tả ngắn gọn:
OptiMOS
phân cực bóng bán dẫn:
kênh N
Lĩnh vực ứng dụng:
Chuyển đổi ứng dụng
Ngày sản xuất:
Trong vòng một năm
Làm nổi bật:
Bóng bán dẫn hiệu ứng trường động cơ BLDC
,Mosfet công suất bóng bán dẫn hiệu ứng trường
,IPB017N10N5
Lời giới thiệu
Phạm vi sản phẩm
- IPB017N10N5 Infineon Transistor hiệu ứng trường Bán dẫn Transistor Mosfet công suất
- MOSFET kênh N 600 V, 0,175 Ohm typ 18 A MOSFET công suất MDmesh DM2 trong gói D2PAK
Đặc điểm ứng dụng
- Lý tưởng cho các ứng dụng trao đổi nóng và cầu chì điện tử
- RDS điện trở rất thấp (bật)
- Vùng hoạt động an toàn rộng SOA
- Kênh N, mức bình thường
- Đã kiểm tra tuyết lở 100%
- Pb-freeplating; tuân thủ RoHS
- Đủ điều kiện theo JEDEC1)cho các ứng dụng mục tiêu
- Không chứa halogen theo tiêu chuẩn IEC61249-2-21
Dữ liệu cơ bản
| Thuộc tính sản phẩm | Giá trị thuộc tính |
|---|---|
| Infineon | |
| Danh mục sản phẩm: | MOSFET |
| RoHS: | Chi tiết |
| sĩ | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-7 | |
| kênh N | |
| 1 kênh | |
| 100 V | |
| 180 A | |
| 1,5 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 2.2 V | |
| 210 nC | |
| - 55 độ C | |
| + 175 độ C | |
| 375 W | |
| Sự nâng cao | |
| OptiMOS | |
| cuộn | |
| cắt băng | |
| ChuộtReel | |
| Thương hiệu: | Công nghệ Infineon |
| Cấu hình: | Đơn |
| Giảm thời gian: | 27 giây |
| Độ dẫn chuyển tiếp - Tối thiểu: | 132S |
| Loại sản phẩm: | MOSFET |
| Thời gian tăng: | 23 ns |
| Loạt: | OptiMOS 5 |
| Số lượng gói xuất xưởng | 1000 |
| tiểu thể loại: | MOSFET |
| Loại bóng bán dẫn: | 1 kênh N |
| Thời gian trễ tắt điển hình: | 80 giây |
| Thời gian trễ bật điển hình: | 33 ns |
| Phần # Bí danh: | IPB017N10N5LF SP001503850 |
| Đơn vị trọng lượng: | 0,056438 oz |
TẢI XUỐNG BẢNG DỮ LIỆU
Đăng kí
- Chuyển đổi ứng dụng
- động cơ BLDC
- Động cơ đồng bộ nam châm vĩnh cửu ba pha
- biến tần
- Trình điều khiển nửa cầu
- Hệ thống điều khiển robot
- thiết bị gia dụng
- Hạ tầng lưới điện
- EPOS • Rạp hát tại nhà
- Hệ thống điện phân tán
- Cơ sở hạ tầng truyền thông/mạng
Quá trình đặt hàng
| Thêm các bộ phận vào biểu mẫu RFQ | Gửi RFQ | Chúng tôi trả lời trong vòng 24 giờ |
| Bạn xác nhận đơn hàng | Sự chi trả | Gửi đơn đặt hàng của bạn |
Các mẫu MOSFET khác
| STB30NF20 | STB18NF25 | STB32NM50N | STB15N80K5 | STB21N90K5 |
| STB24N60DM2 | STB15810 | STB75NF20 | STB6N60M2 | STB46NF30 |
| IRFB3207PBF | IRFB38N20DPBF | IRFB3306PBF | IRFB5615PBF | IRFB4310ZPBF |
| IRFB4110PBF | IRFB4127PBF | IRFB7730PBF | IRFB7440PBF | IRFB7537PBF |
| Mạch tích hợp Ics | ||||
| SSD2832G24 | SSD2830QL9 | SSD2829QL9 | SSD2861QN10 | SSD2858K1 |
| SSD2848K1 | SSD2828QN4 | SSD2805CG39R | SSD1963G41 | A4988SETTR-T |
| MIC28515T-E/PHA | MIC28514T-E/PHA | MIC28513-1YFL-TR | MIC28516T-E/PHA | MIC28510YJL-TR |
| TPS54160DGQR | TPS54160ADRCR | TPS54140ADRCR | TPS5410MDREP | TPS54336ADDAR |
| LM2596SXADJ | LM2596SX-3.3 | LM2596SX-5.0 | LM2596SX-12 | DRV8312DDWR |
| Vi điều khiển-MCU | ||||
| STM8S003F3P6 | STM8S003F3U6TR | STM8S003K3T6C | STM8S003F3P6TR | STM8S003K3T6CT |
| STM8S005C6T6C | STM8S005K6T6C | STM8S103K3T6C | STM8S105K6T6C | Nhiều mô hình IC hơn |
| STM32F030R8T6 | STM32F030C6T6 | STM32F030F4P6 | STM32F030C8T6 | STM32F030K6T6 |
| STM32F030R8T6TR | STM32F030CCT6 | STM32F030RCT6 | STM32F030K6T6T | STM32F030CCT6TR |
| STM32F042C6T6 | STM32F042K6T6 | STM32F042K4U6 | STM32F042F6P7 | STM32F042F4P6TR |
| STM32F042K6U7 | STM32F042G4U6 | STM32F042F4P6 | STM32F042C6U7 | STM32F042K6T7 |
Sơ đồ chip
Gửi RFQ
Cổ phần:
MOQ:
Negotiable